JFETs - onsemi - Дистрибьютор электронных компонентов - Страницы 6

Производитель

Panasonic Electronic Components

National Semiconductor

Renesas Electronics Corporation

Diodes Incorporated

Microchip Technology

Toshiba Semiconductor and Storage

Microsemi Corporation

Texas Instruments

Infineon Technologies

Central Semiconductor Corp

Nisshinbo Micro Devices Inc.

Rochester Electronics, LLC

Qorvo

NTE Electronics, Inc

Solid State Inc.

Linear Integrated Systems, Inc.

InterFET

NTE Electronics, Inc

Intersil

Precision Monolithics

Harris Corporation

Fairchild Semiconductor

NEC Corporation

Sanyo

Linear Technology

Advanced Micro Devices

Burr Brown

Motorola

продукты

6 / 41 Страницы，Всего 484 Данные Предыдущая страница | Следующая страница

Номер запчасти	Производитель	Описание	Запасы	Количество	Упаковка	Статус	Подробности
MMBF4392LT1G	onsemi	JFET N-CH 30V SOT23-3	4280	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности
MMBF4117	onsemi	JFET N-CH 40V SOT23-3	25650	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности
MMBF4393LT3G	onsemi	JFET N-CH 30V SOT23-3	9977	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности
MMBF4391LT1G	onsemi	JFET N-CH 30V SOT23-3	2228	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности
MMBFJ110	onsemi	JFET N-CH 25V SOT23-3	3148	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности
2SK3557-7-TB-E	onsemi	RF MOSFET N-CH JFET 5V 3CP	9381	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности
2SK2394-6-TB-E	onsemi	JFET N-CH 50MA 3CP	2823	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности
MCH5908H-TL-E	onsemi	JFET 2N-CH 50MA 5MCPH	4755	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности
SMBF1053LT3	onsemi	SS SOT23 JFET NCH SPCL	50000	RFQ	Bulk	Active	Подробности
SMBF1006LT1	onsemi	SS SOT23 JFET SPCL	54000	RFQ	Bulk	Active	Подробности
2SK1332-3-TL-E	onsemi	NCH J-FET	60000	RFQ	Bulk	Active	Подробности
SMBF5460LT1	onsemi	SS SOT23 JFET PCH SPCL	6000	RFQ	Bulk	Active	Подробности

6 / 41 Страницы，Всего 484 Данные

JFETs

Транзисторы с эффектом поля (JFET) являются устройствами, используемыми в качестве электронных переключателей управления, усилителей или сопротивления сжатия. Разница потенциала, наложенная на соответствующий полюс между полем и источником, увеличивает сопротивление току, что означает, что меньше тока будет течь в канаве между полем источника и полем утечки. Поскольку заряд течет через полупроводниковые каналы между источниками и терминами утечки, JFETs не нуждаются в смещенном токе.